|
Алферов Жорес Иванович (родился 15 марта 1930).
Академик Алферов один из крупнейших российских ученых в области физики и техники полупроводников, его работы получили широкую известность и мировое признание, вошли в учебники и монографии, вице-президент Российской Академии наук, председатель президиума Санкт-Петербургского научного центра РАН, директор Физико-технического института им. Йоффе, депутат Государственной думы России, лауреат Нобелевской премии
Исследования по физике полупроводников Ж.Алферов начал еще студентом третьего курса, на кафедре физики вакуума ЛЭТИ. В Физико-техническом институте участвовал в создании первых советских транзисторов, диодов, фотодиодов и мощных выпрямителей. В этой работе ярко проявились характеризующие всю его научную деятельность черты глубокое проникновение в физику изучаемых процессов и блестящее умение приложить полученные результаты к решению конкретных задач. Академик Алферов открыл явление сверх-инжекции в гетероструктурах и показал, что в полупроводниковых гетероструктурах можно принципиально по-новому управлять электронными и световыми потоками. Проводимые под его руководством исследования гетеропереходов в полупроводниках обеспечили нашей стране ведущее положение в мире в новом перспективном направлении физики и техники полупроводников.
В 1972 году за фундаментальные исследования гетеропереходов в полупроводниках академик Алферов был удостоен Ленинской премии, а в 1984 Государственной премии СССР в области науки и техники. В 2000 г. Алфёров удостоен Нобелевской премии за работы по получениюполупроводниковых структур, которые могут быть использованы для сверхбыстрых компьютеров.
|
На уровень вверх
Купить